| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-262-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 80W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 51A |
| 输入电容值(Ciss) | 1420pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 80W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
NXP（恩智浦）
N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
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