类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
额定功率 | 80 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0139 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 80 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
漏源击穿电压 | 55 V |
连续漏极电流(Ids) | 51A |
上升时间 | 68 ns |
输入电容值(Ciss) | 1420pF @25V(Vds) |
下降时间 | 41 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 80000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 9.65 mm |
高度 | 4.83 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,55V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
NXP(恩智浦)
N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
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