| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-262-3 |
| 额定功率 | 120 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0165 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 107 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 53A |
| 上升时间 | 76 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1696pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.8 W |
| 下降时间 | 57 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 107W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 55 V 53A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） TO-262
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 50V ， RDS（ON） = 0.024ohm ，ID = 50 * A） Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.024ohm, Id=50*A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ46NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 55 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ46NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 53A TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ46NLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 55 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V 新
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