| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 51.0 A |
| 封装 | TO-262 |
| 漏源极电阻 | 10.9 mΩ |
| 漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0V (min) |
| 连续漏极电流(Ids) | 51.0 A |
| 上升时间 | 63.0 ns |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 50V ， RDS（ON） = 0.024ohm ，ID = 50 * A） Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.024ohm, Id=50*A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ46NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 55 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ46NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 53A TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ46NLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 55 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V 新
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