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IRFZ48RPBF
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IRFZ48RPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRFZ48RPBF 数据手册 (8 页)
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IRFZ48RPBF 数据手册 (8 页)
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IRFZ48RPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流50.0 A
封装TO-220-3
漏源极电阻18 mΩ
极性N-Channel
功耗190 W
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0 V
连续漏极电流(Ids)50.0 A
上升时间250 ns
输入电容值(Ciss)2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)190 W
下降时间250 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)190W (Tc)
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IRFZ48RPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
材质Silicon
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
最小包装数量50
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IRFZ48RPBF 数据手册

IRFZ48RPBF 数据手册
VISHAY（威世）
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