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IRFZ48VSPBF
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IRFZ48VSPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:D2PAK-263
描述:N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
PDF文件:IRFZ48VSPBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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IRFZ48VSPBF 数据手册 (9 页)
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IRFZ48VSPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装D2PAK-263
额定功率150 W
漏源极电阻0.012 Ω
极性N-CH
功耗150 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)72A
输入电容值(Ciss)1985pF @25V(Vds)
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 W
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IRFZ48VSPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
长度10.67 mm
宽度9.65 mm
高度4.83 mm
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IRFZ48VSPBF 数据手册

IRFZ48VSPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.17 MByte
IRFZ48VSPBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IRFZ48VSPBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IRFZ48VSPBF 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IRFZ48VSPBF 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.15 MByte

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