| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 100 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 100 W |
| 上升时间 | 15.0 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 额定功率(Max) | 100 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 100000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.54 mm |
| 宽度 | 4.69 mm |
| 高度 | 8.77 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
单 IGBT 高达 20A，Infineon
●优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能
●### IGBT 晶体管，International Rectifier
●International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
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IRF
绝缘栅双极晶体管（ VCES = 600V ，的VCE（on ）典型值= 1.59V ， @ VGE = 15V ， IC = 17A） INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
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INFINEON IRG4BC30KDPBF 单晶体管, IGBT, 28 A, 2.21 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
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INFINEON IRG4BC30UDPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
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INFINEON IRG4BC30FPBF 单晶体管, IGBT, 31 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
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INFINEON IRG4BC30FDPBF 单晶体管, IGBT, 31 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
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INFINEON IRG4BC30SPBF 单晶体管, IGBT, 34 A, 1.6 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
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Co-Pack IGBT 高达 20A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
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INFINEON IRG4BC30FD-SPBF 单晶体管, IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-263, 3 引脚
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INFINEON IRG4BC30WPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
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INFINEON IRG4BC30UPBF 晶体管, 单路, IGBT, 600V, 23A 新
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