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IRG4BC30FPBF
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IRG4BC30FPBF 数据手册 (8 页)
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IRG4BC30FPBF 技术参数、封装参数

IRG4BC30FPBF 外形尺寸、物理参数、其它

IRG4BC30FPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
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IRG4BC30 数据手册

IRF
绝缘栅双极晶体管( VCES = 600V ,的VCE(on )典型值= 1.59V , @ VGE = 15V , IC = 17A) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4BC30KDPBF  单晶体管, IGBT, 28 A, 2.21 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4BC30UDPBF  单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4BC30FPBF  单晶体管, IGBT, 31 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4BC30FDPBF  单晶体管, IGBT, 31 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4BC30SPBF  单晶体管, IGBT, 34 A, 1.6 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
Co-Pack IGBT 高达 20A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4BC30FD-SPBF  单晶体管, IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-263, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4BC30WPBF  单晶体管, IGBT, 23 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4BC30UPBF  晶体管, 单路, IGBT, 600V, 23A 新
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