| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 900 V |
| 额定电流 | 51.0 A |
| 封装 | TO-247 |
| 额定功率 | 200 W |
| 零部件系列 | IRG4PF50W |
| 输入电容 | 3.30 nF |
| 上升时间 | 26.0 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
Infineon（英飞凌）
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绝缘栅双极晶体管 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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