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IRG4PH50KPBF
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IRG4PH50KPBF 数据手册 (7 页)
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IRG4PH50KPBF 技术参数、封装参数

IRG4PH50KPBF 外形尺寸、物理参数、其它

IRG4PH50KPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
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IRG4PH50 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管( VCES = 1200V ,的VCE(on )典型值= 2.78V , @ VGE = 15V , IC = 24A ) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
Infineon(英飞凌)
Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4PH50UPBF  单晶体管, IGBT, 45 A, 3.7 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 超过 21A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4PH50KPBF  单晶体管, IGBT, 45 A, 3.28 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,Vce=1200V,Ic=57A,Vce(on)=1.47V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRG4PH50KDPBF  晶体管, 单路, IGBT, 1.2KV, 45A 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRG4PH50UDPBF  晶体管, 单路, IGBT, 1.2KV, 45A 新
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