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IRG4RC10SDTRPBF
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IRG4RC10SDTRPBF 数据手册 (11 页)
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IRG4RC10SDTRPBF 技术参数、封装参数

IRG4RC10SDTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

IRG4RC10SDTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.34 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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IRG4RC10 数据手册

IRF
绝缘栅双极晶体管( VCES = 600V ,的VCE(on )典型值= 2.39V , @ VGE = 15V , IC = 5.0A ) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4RC10SDPBF  单晶体管, IGBT, 14 A, 1.7 V, 38 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRG4RC10SDPBF  晶体管, 单路, IGBT, 600V, 14A 新
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
International Rectifier(国际整流器)
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