| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 78.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 370 W |
| 零部件系列 | IRGB30B60K |
| 上升时间 | 28 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 额定功率(Max) | 370 W |
| 下降时间 | 40 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 10.66 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier（国际整流器）
14 页 / 0.33 MByte
International Rectifier（国际整流器）
20 页 / 2.6 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRGB30B60KPBF 单晶体管, IGBT, 78 A, 2.35 V, 370 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
International Rectifier（国际整流器）
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IRF
绝缘栅双极晶体管 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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