| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 330 W |
| 零部件系列 | IRGP4063 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 额定功率(Max) | 330 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 宽度 | 5.31 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRGP4063DPBF 单晶体管, IGBT, 96 A, 2.14 V, 330 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRGP4063PBF 单晶体管, IGBT, 96 A, 1.65 V, 330 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRGP4063DPBF 晶体管, IGBT, 600V, 96A
Infineon（英飞凌）
Co-Pack IGBT 超过 21A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon（英飞凌）
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
Co-Pack IGBT 超过 21A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier IRGP4063D1-EPBF, N沟道 IGBT 晶体管, 100 A, Vce=600 V, 30kHz, 3针 TO-247AD封装
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