| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-262-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 130A |
| 上升时间 | 210 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5330pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 14 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRL1004SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V
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