| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 130 A |
| 封装 | TO-263 |
| 漏源极电阻 | 6.50 mΩ (max) |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 漏源击穿电压 | 40.0V (min) |
| 连续漏极电流(Ids) | 130 A |
| 上升时间 | 210 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5330pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.8 W |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRL1004SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V
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