类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-262-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 4 mΩ |
极性 | N-CH |
功耗 | 3.8 W |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
漏源击穿电压 | 40 V |
连续漏极电流(Ids) | 160A |
上升时间 | 270 ns |
输入电容值(Ciss) | 6600pF @25V(Vds) |
下降时间 | 130 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 10.2 mm |
宽度 | 4.5 mm |
高度 | 9.45 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 40 V 160A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRL1404ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 200 A, 40 V, 3.1 mohm, 10 V, 2.7 V
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INFINEON IRL1404PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 3 V
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N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.7 V
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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