类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 40.0 V |
额定电流 | 160 A |
封装 | TO-262-3 |
额定功率 | 3.8 W |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.80 W |
零部件系列 | IRL1404L |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
漏源击穿电压 | 40.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 160 A |
上升时间 | 270 ns |
输入电容值(Ciss) | 6600pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 3.8 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | End of Life |
包装方式 | Tube |
International Rectifier(国际整流器)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRL1404ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 200 A, 40 V, 3.1 mohm, 10 V, 2.7 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRL1404PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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