| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 200 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.004 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 160A |
| 上升时间 | 270 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6590pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 200 W |
| 下降时间 | 37 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IRL1404PBF 是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 采用先进的处理技术, 实现极低的导通电阻。这款器件具有快开关速度和坚固耐用设计, 提供极高的效率和可靠性。适用于所有功耗约50W的商业和工业应用。
●SP001578568
● 先进的工艺技术
● 动态dV/dt额定值
● 完全雪崩认证
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL1404ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 200 A, 40 V, 3.1 mohm, 10 V, 2.7 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL1404PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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