| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-262-3 |
| 额定功率 | 230 W |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 230W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200A |
| 上升时间 | 180 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5080pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 49 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 230W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-262
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL1404ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 200 A, 40 V, 3.1 mohm, 10 V, 2.7 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL1404PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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