| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 75.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 5.9 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 230 W |
| 零部件系列 | IRL1404Z |
| 输入电容 | 5080pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 75.0 A |
| 上升时间 | 180 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5080pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 230 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 10.66 mm |
| 高度 | 9.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier（国际整流器）
12 页 / 0.29 MByte
International Rectifier（国际整流器）
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL1404ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 200 A, 40 V, 3.1 mohm, 10 V, 2.7 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL1404PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
