| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 116 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 7.00 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 130 W |
| 零部件系列 | IRL2203N |
| 漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 116 A |
| 上升时间 | 160 ns |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 7.0mohm ，ID = 116A ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
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INFINEON IRL2203NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 1 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRL2203NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 116A, TO-220AB 新
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INFINEON IRL2203NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 3 V
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