| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 130 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.007 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 130 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 输入电容 | 3290 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 116A |
| 上升时间 | 160 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3290pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 180 W |
| 下降时间 | 66 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 180W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 15.65 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 7.0mohm ，ID = 116A ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL2203NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRL2203NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 116A, TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL2203NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 3 V
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