| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-263-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 3.8W (Ta), 180W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 116A |
| 输入电容值(Ciss) | 3290pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 180W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 7.0mohm ，ID = 116A ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL2203NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRL2203NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 116A, TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL2203NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 3 V
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