类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 55.0 A |
封装 | TO-262-3 |
额定功率 | 190 W |
极性 | N-Channel |
功耗 | 190 W |
零部件系列 | IRL2910L |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 55.0 A |
上升时间 | 100 ns |
输入电容值(Ciss) | 3700pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 3.8 W |
International Rectifier(国际整流器)
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRL2910SPBF.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 100 V, 26 mohm, 10 V, 2 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRL2910PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 55A, TO-220AB 新
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场效应管(MOSFET) IRL2910STRRPBF D2PAK
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