类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-262-3 |
额定功率 | 110 W |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 16 mΩ |
极性 | N-CH |
功耗 | 110 W |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 64A |
上升时间 | 120 ns |
输入电容值(Ciss) | 1650pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 94 W |
下降时间 | 9.1 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 94W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 10.2 mm |
宽度 | 4.5 mm |
高度 | 9.45 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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IRF
功率MOSFET ( VDDS = 30V , RDS(ON) = 12mohm ,ID = 64A ) Power MOSFET(Vdds=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRL3103PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 30 V 94 W 33 nC 功率Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRL3103PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 64A TO-220AB 新
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