| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.012 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 83 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 64A |
| 输入电容值(Ciss) | 1650pF @25V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 94W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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IRF
功率MOSFET （ VDDS = 30V ， RDS（ON） = 12mohm ，ID = 64A ） Power MOSFET(Vdds=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL3103PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 1 V
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N沟道 30 V 94 W 33 nC 功率Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRL3103PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 64A TO-220AB 新
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