| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 64.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 110 W |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 83.0 W |
| 零部件系列 | IRL3103S |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 64.0 A |
| 上升时间 | 120 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1650pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 94 W |
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IRF
功率MOSFET （ VDDS = 30V ， RDS（ON） = 12mohm ，ID = 64A ） Power MOSFET(Vdds=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL3103PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
N沟道 30 V 94 W 33 nC 功率Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRL3103PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 64A TO-220AB 新
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