类型 描述 安装方式 Surface Mount 引脚数 3 Pin 额定电压(DC) 55.0 V 额定电流 89.0 A 封装 TO-252-3 漏源极电阻 10 mΩ 极性 N-Channel 功耗 3.8 W 零部件系列 IRL3705NS 阈值电压 2 V 漏源极电压(Vds) 55 V 漏源击穿电压 55.0 V 连续漏极电流(Ids) 89.0 A 上升时间 140 ns 输入电容值(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 额定功率(Max) 3.8 W 下降时间 78 ns 工作温度(Max) 175 ℃ 工作温度(Min) -55 ℃ 工作结温(Max) 175 ℃
类型 描述 产品生命周期 Active 包装方式 Tube 工作温度 -55℃ ~ 175℃
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRL3705NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 55 V, 10 mohm, 10 V, 2 V
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N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRL3705NSTRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 89A, 55V, 3.8W
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INFINEON IRL3705NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 55 V, 10 mohm, 10 V, 2 V
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N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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