| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 200 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 140A |
| 上升时间 | 230 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5000pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 35 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 30 V 140A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.38 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
25 页 / 0.26 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.006ohm ，ID = 140A ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL3803PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL3803VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 30 V, 5.5 mohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
N沟道 30 V 3.8 W 140 nC 功率Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL3803SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V
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