类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0015 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 231 W |
阈值电压 | 2.4 V |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
漏源击穿电压 | 40 V |
连续漏极电流(Ids) | 254A |
上升时间 | 154 ns |
输入电容值(Ciss) | 8320pF @25V(Vds) |
下降时间 | 84 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 231W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 9.65 mm |
高度 | 4.83 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET,Infineon
●是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。
●最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V
●适用于电池供电系统
●应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器
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INFINEON IRL40S212 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新
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INFINEON IRL40B212 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新
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StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET,Infineon是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V 适用于电池供电系统 应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRL40B215 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.4 V 新
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晶体管, MOSFET, N沟道, 360 A, 40 V, 500 µohm, 10 V, 2.4 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 478 A, 40 V, 0.0006 ohm, 10 V, 2.4 V
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