| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 7 Pin |
| 封装 | D2PAK-263 |
| 针脚数 | 7 Position |
| 功耗 | 375 W |
| 阈值电压 | 2.4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 上升时间 | 182 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 15270pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 138 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 375000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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INFINEON IRL40S212 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新
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INFINEON IRL40B212 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新
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StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET，Infineon是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展，针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 RDS（接通）用于提供更大效率，及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。最佳 RDS（接通）@ VGS = +4.5V 适用于电池供电系统 应用范围：电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRL40B215 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.4 V 新
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晶体管, MOSFET, N沟道, 360 A, 40 V, 500 µohm, 10 V, 2.4 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 478 A, 40 V, 0.0006 ohm, 10 V, 2.4 V
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