| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0016 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 375 W |
| 阈值电压 | 2.4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 298A |
| 上升时间 | 180 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 15330pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 120 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 375 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 11.33 mm |
| 宽度 | 10.67 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET，Infineon
●是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展，针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 RDS（接通）用于提供更大效率，及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。
●最佳 RDS（接通）@ VGS = +4.5V
●适用于电池供电系统
●应用范围：电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.69 MByte
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IRL60S216 系列 60 V 298 A 1.95 mOhm 表面贴装 IR Mosfet - D2PAK
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INFINEON IRL60B216 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier（国际整流器）
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