| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 800 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 39 W |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 16.3 mm |
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.23 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.80ohm ，ID = 5.2A ） Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRL620SPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 5.2A D2-PAK
VISHAY（威世）
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRL620PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 200 V, 0.8 ohm, 5 V, 2 V 新
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
