| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 9.00 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 400 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 69 W |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.00 A |
| 上升时间 | 6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 755pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 69 W |
| 下降时间 | 9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 69W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 16.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.40ohm ，ID = 9.0A ） Power MOSFET(Vdss=200V, RdS(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
VISHAY（威世）
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRL630PBF.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 0.4 ohm, 5 V, 2 V
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