类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
功耗 | 69W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
上升时间 | 6 ns |
输入电容值(Ciss) | 755pF @25V(Vds) |
下降时间 | 9 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 69W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Rail |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.40ohm ,ID = 9.0A ) Power MOSFET(Vdss=200V, RdS(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRL630PBF.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 0.4 ohm, 5 V, 2 V
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