| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 400 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3.1 W |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.00 A |
| 上升时间 | 57 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1100pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.1 W |
| 下降时间 | 33 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 2000 |
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
8 页 / 0.19 MByte
VISHAY（威世）
9 页 / 0.21 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.40ohm ，ID = 9.0A ） Power MOSFET(Vdss=200V, RdS(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
VISHAY（威世）
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRL630PBF.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 0.4 ohm, 5 V, 2 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
