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IRL640
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IRL640 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRL640 数据手册 (8 页)
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焊盘图
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IRL640 数据手册 (8 页)
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IRL640 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流17.0 A
封装TO-220
极性N-CH
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V (max)
连续漏极电流(Ids)17.0 A
上升时间83 ns
输入电容值(Ciss)1800pF @25V(Vds)
下降时间52 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125000 mW
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IRL640 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
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IRL640 数据手册

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