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IRL640PBF
来自 AiPCBA

IRL640PBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:IRL640PBF 数据手册 (8 页)
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焊盘图
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IRL640PBF 数据手册 (8 页)
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IRL640PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流17.0 A
封装TO-220-3
额定功率125 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.18 Ω
极性N-Channel
功耗125 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
连续漏极电流(Ids)17.0 A
上升时间83.0 ns
输入电容值(Ciss)1800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)125 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125000 mW
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IRL640PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
最小包装数量50
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IRL640PBF 数据手册

IRL640PBF 数据手册
VISHAY（威世）
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