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IRL640STRLPBF
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IRL640STRLPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-263
PDF文件:IRL640STRLPBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
引脚图
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IRL640STRLPBF 数据手册 (9 页)
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IRL640STRLPBF 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-263
漏源极电阻0.18 Ω
极性N-Channel
功耗3.1 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)17.0 A
上升时间83 ns
输入电容值(Ciss)1800pF @25V(Vds)
下降时间52 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3100 mW
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IRL640STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRL640STRLPBF 数据手册

IRL640STRLPBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.89 MByte

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