Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY（威世） > IRL640STRRPBF Datasheet 文档
IRL640STRRPBF
来自 AiPCBA

IRL640STRRPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
PDF文件:IRL640STRRPBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRL640STRRPBF 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRL640STRRPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
漏源极电阻180 mΩ
极性N-Channel
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)17.0 A
上升时间83 ns
输入电容值(Ciss)1800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)3.1 W
下降时间52 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3100 mW
查看数据手册 >

IRL640STRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量2000
查看数据手册 >

IRL640STRRPBF 数据手册

IRL640STRRPBF 数据手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.96 MByte
IRL640STRRPBF 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.96 MByte

IRL640 数据手册

IRL640 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRL640 数据手册
Vishay Siliconix
IRL640 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRL640 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRL640 数据手册
Vishay Intertechnology
IRL640 数据手册
Samsung（三星）
IRL640 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
IRL640 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
IRL640 数据手册
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
IRL640PBF 数据手册
VISHAY（威世）
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRL640 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet