| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 10 Pin |
| 封装 | Direct-FET |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.001 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 104 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 209A |
| 上升时间 | 110 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6904pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 47 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 104W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.35 mm |
| 宽度 | 5.05 mm |
| 高度 | 0.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET，Infineon
●是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展，针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 RDS（接通）用于提供更大效率，及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。
●最佳 RDS（接通）@ VGS = +4.5V
●适用于电池供电系统
●应用范围：电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器
Infineon（英飞凌）
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INFINEON IRL7486MTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 209 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 1.8 V 新
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