类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 150 A |
封装 | TO-263-3 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 140 W |
零部件系列 | IRL7833S |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 150 A |
上升时间 | 50.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 4170pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 140 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Rail, Tube |
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRL7833PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 30 V, 3.8 mohm, 10 V, 2.3 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRL7833SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 30 V, 3.8 mohm, 10 V, 2.3 V
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