类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
漏源极电阻 | 7.1 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 110 W |
输入电容 | 2840pF @15V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 105 A |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.67 mm |
高度 | 4.703 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRL8113PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 105 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 2.25 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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