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IRLD024
来自 AiPCBA

IRLD024 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:DIP-4
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRLD024 数据手册 (9 页)
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焊盘图
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IRLD024 数据手册 (9 页)
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IRLD024 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数4 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流2.50 A
封装DIP-4
极性N-Channel
功耗1.30 W
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0V (min)
连续漏极电流(Ids)2.50 A
上升时间110 ns
输入电容值(Ciss)870pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.3 W
下降时间41 ns
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IRLD024 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IRLD024 数据手册

IRLD024 数据手册
VISHAY（威世）
9 页 / 1.65 MByte
IRLD024 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
6 页 / 0.16 MByte
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