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IRLD110PBF
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IRLD110PBF 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:DIP-4
PDF文件:IRLD110PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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IRLD110PBF 数据手册 (9 页)
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IRLD110PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装DIP-4
功耗1300 mW
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间47 ns
输入电容值(Ciss)250pF @25V(Vds)
下降时间17 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)1.3W (Ta)
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IRLD110PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IRLD110PBF 数据手册

IRLD110PBF 数据手册
Vishay Siliconix
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