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IRLD120
来自 AiPCBA

IRLD120 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:DIP-4
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRLD120 数据手册 (9 页)
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IRLD120 数据手册 (9 页)
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IRLD120 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)100 V
额定电流1.30 A
封装DIP-4
极性N-CH
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100V (min)
连续漏极电流(Ids)1.30 A
上升时间64.0 ns
输入电容值(Ciss)490pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.3 W
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IRLD120 数据手册

IRLD120 数据手册
VISHAY（威世）
9 页 / 1.64 MByte
IRLD120 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
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