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IRLD120PBF
来自 AiPCBA

IRLD120PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:DIP
描述:N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:IRLD120PBF 数据手册 (8 页)
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IRLD120PBF 数据手册 (8 页)
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IRLD120PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数4 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流1.30 A
封装DIP
额定功率1.3 W
针脚数4 Position
漏源极电阻0.27 Ω
极性N-Channel
功耗1.3 W
阈值电压2 V
输入电容490pF @25V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)1.30 A
上升时间64.0 ns
输入电容值(Ciss)490pF @25V(Vds)
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.3 W
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IRLD120PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度5 mm
宽度6.29 mm
高度3.37 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IRLD120PBF 数据手册

IRLD120PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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