| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | DIP-4 |
| 功耗 | 1300 mW |
| 上升时间 | 64 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 490pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 27 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.3W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.29 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 3.37 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
Vishay Siliconix
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International Rectifier（国际整流器）
Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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