类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
封装 | PQFN-6 |
额定功率 | 2.1 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 6 Position |
漏源极电阻 | 0.025 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 2.1 W |
输入电容 | 877 pF |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
漏源击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 7.2A |
上升时间 | 54 ns |
输入电容值(Ciss) | 877pF @10V(Vds) |
下降时间 | 66 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.1 mm |
宽度 | 2 mm |
高度 | 0.9 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 20 V 7.2A(Ta),15A(Tc) 2.1W(Ta),9.6W(Tc) 6-PQFN(2x2)
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INFINEON IRLHS2242TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.2 A, -20 V, 25 mohm, -4.5 V, -800 mV
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P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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