| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 额定功率 | 2.1 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.14 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.1 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 输入电容 | 230 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.8A |
| 上升时间 | 4.9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 230pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 2.9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.25 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLL014NTRPBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLL014NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRLL014NTRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道 2A
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