| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 1.50 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 额定功率 | 3.1 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.54 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.50 A |
| 上升时间 | 47 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 250pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 18 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.45 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.54ohm ，ID = 1.5A ） Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.5A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRLL110TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 27W, SOT-223
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRLL110PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V
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